Transistores IGBT de alto rendimiento para aplicaciones que requieren minimizar pérdidas de conducción y conmutación.
Aplicaciónes:
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)
- Soldadoras Inverter
- Control de Motores y Solenoides
- Convertidores de frecuencia
Especificaciónes:
- IGBT de bajas pérdidas, alta potencia y bajo VCEsat
- Temperatura máxima de juntura: 175°C
- VCE(sat) típico: 1,5v
- VCE: 600v
- Corriente de Colector: 80A@25ºC 50A@100ºC
- Corriente de Colector (Pulsada): 150A
- Pd: 333w
- Td(on): 25ns
- Encapsulado TO-247
- 1 Transistor K50T60
- Unidades por pack: 1
- Formato de venta: Unidad
- Voltaje máximo soportado: 600V.
- Corriente máxima soportada: 50A.
Tipo de encapsulado | Orificio pasante (TH) |
Corriente máxima soportada | 50 A |
Voltaje máximo soportado | 600V |
Código del transistor | K50T60 |
Marca | TodoMicro |
Formato de venta | Unidad |
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