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K50t60 Ikw50n60t Transistor Igbt To-247 50a 600 V

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Transistores IGBT de alto rendimiento para aplicaciones que requieren minimizar pérdidas de conducción y conmutación.
Aplicaciónes:
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)
- Soldadoras Inverter
- Control de Motores y Solenoides
- Convertidores de frecuencia
Especificaciónes:
- IGBT de bajas pérdidas, alta potencia y bajo VCEsat
- Temperatura máxima de juntura: 175°C
- VCE(sat) típico: 1,5v
- VCE: 600v
- Corriente de Colector: 80A@25ºC 50A@100ºC
- Corriente de Colector (Pulsada): 150A
- Pd: 333w
- Td(on): 25ns
- Encapsulado TO-247
- 1 Transistor K50T60

  • Unidades por pack: 1
  • Formato de venta: Unidad
  • Voltaje máximo soportado: 600V.
  • Corriente máxima soportada: 50A.
Tipo de encapsuladoOrificio pasante (TH)
Corriente máxima soportada50 A
Voltaje máximo soportado600V
Código del transistorK50T60
MarcaTodoMicro
Formato de ventaUnidad

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