Transistor Mosfet P2003bdg P2003bd P2003 25v 28a 27w To-252

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Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: canal N
Máxima disipación de potencia (Pd): 27 W
Tensión máxima de drenaje-fuente | Vds |: 25 V
Voltaje máximo de fuente de puerta | Vgs |: 20 V
Corriente máxima de drenaje | Id |: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Capacidad de drenaje-sustrato (Cd): 161 pF
Resistencia máxima en estado de drenaje (Rds): 0.02 Ohm
Paquete: TO252

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