Transistor Mosfet P J477 2sj477 60v 25a To 220

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Caracteristicas:
Número de Parte: 2SJ477-01MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Especificaciónes máximas:
Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Características eléctricas:
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F

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