Transistor Mosfet Irf630n Irf630 F630n 630n 200v 9a

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Designador de tipo: IRF630N
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 82 W
Voltaje máximo drenaje-fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo puerta-fuente |Vgs|: 20 V
Puerta máxima -Voltaje umbral |Vgs(th)|: 4 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 9,3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Carga total de puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Drenaje- Capacitancia de la fuente (Cd): 89 pF
Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 0,3 ohmios

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