Transistor Mosfet Fqpf5n50c Fqpf 5n50c N 500v 5a

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Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Características eléctricas
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 24 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
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