Transistor Mosfet Fqd10n60 Fqd10n60c Fqd 10n60 1a 600v

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Designador de tipo: FQD1N60C
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potencia máxima (Pd): 28 W
Voltaje máximo de drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 30 V
Drenaje máximo Corriente |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje (Rds): 11,5 ohmios

Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
Horarios de Atención: Lunes a Viernes 9:00 a 18:00 Horas Sabados 9:00 a 13:00 Horas
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