Transistor Knd4820b Knd4820 Knd 4820b 4820 200v 9a

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Número de Parte: KND4820B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Características eléctricas
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 28 nC
Tiempo de elevación (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 94 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
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