Transistor Ipp180n10n3g 180n10n 180n10 100v 43a

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Número de Parte: IPP180N10N3G
Código: 180N10N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 43 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

Características eléctricas
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 19 nC
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 237 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm

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