Ic Ci Mos N Ao4496 Ao 4496 30v 10a

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Caracteristicas:
Número de Parte: AO4496
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Especificaciónes máximas:
Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Características eléctricas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 3.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0195 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO-8

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