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TecnoliveUSA MOSFET

Ci Sw2n60 Fqp2n60 To-220 Mosfet 600v 2a

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Tecnoliveusa

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Designador de YPE: FQP2N60C
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: N -canal
Disipación de potencia máxima (Pd): 54 W
Voltaje máximo de la fuente de drenaje | Vds |: 600 V
Tensión máxima de puerta-fuente | Vgs |: 30 V
Umbral máximo de umbral de puerta | Vgs (th) |: 4 V
Corriente de drenaje máxima | Id |: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 ° C
Resistencia máxima en estado de drenaje-fuente (Rds): 4.7 Ohm
Paquete: TO220

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MarcaTecnoliveUSA
ModeloMOSFET
Código del transistor2n60
Voltaje máximo soportado600V
Corriente máxima soportada2 A