Ap9997gh Ap 9997 Gh Ap9997 To252 Mosfet N 100v 11a 34.7w

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• Descripción del Producto:
Número de Parte: AP9997GH-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 34.7 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Características eléctricas
Tiempo de elevación (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-252

Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
Horarios de Atención: días laborables de 8:30 a 12:30 y 15:30 a 19:30
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