Ap4435gyt-hf Ap4435gyt Ap4435 Mosfet Qfn-8

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• Descripción del Producto:
Número de Parte: AP4435GYT-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P

Especificaciónes máximas
Disipación total del dispositivo (Pd): 3.57 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Características eléctricas
Tiempo de elevación (tr): 7.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Empaquetado / Estuche: PMPAK3X3

Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
Horarios de Atención: días laborables de 8:30 a 12:30 y 15:30 a 19:30
Facturación: Hacemos Factura A y B, en el precio publicado ya esta incluido el IVA.
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